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N25Q128A13ESEC0E

N25Q128A13ESEC0E

참조 용

부품 번호 N25Q128A13ESEC0E
PNEDA 부품 번호 N25Q128A13ESEC0E
설명 IC FLASH 128M SPI 108MHZ 8SOP2
제조업체 Micron Technology Inc.
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N25Q128A13ESEC0E 리소스

브랜드 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호N25Q128A13ESEC0E
분류반도체메모리 IC기억

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N25Q128A13ESEC0E 사양

제조업체Micron Technology Inc.
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷FLASH
기술FLASH - NOR
메모리 크기128Mb (32M x 4)
메모리 인터페이스SPI
시계 주파수108MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지8ms, 5ms
접근 시간-
전압-공급2.7V ~ 3.6V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOP2

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제조업체

Microchip Technology

시리즈

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메모리 유형

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기술

FLASH

메모리 크기

256Kb (32K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

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쓰기주기 시간-단어, 페이지

20ms

접근 시간

200ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

32-LCC (J-Lead)

공급자 장치 패키지

32-PLCC (13.97x11.43)

IS62WV1288FBLL-45QLI-TR

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제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

1Mb (128K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

45ns

접근 시간

45ns

전압-공급

2.2V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

32-SOIC (0.445", 11.30mm Width)

공급자 장치 패키지

32-SOP

BR25H640FJ-2CE2

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제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

Automotive, AEC-Q100

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

64Kb (8K x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

10MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

4ms

접근 시간

-

전압-공급

2.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOP-J

MT28HL64GRBB6EBL-0GCT TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

*

메모리 유형

-

메모리 포맷

-

기술

-

메모리 크기

-

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

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Silicon Motion, Inc.

시리즈

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메모리 유형

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메모리 포맷

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기술

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메모리 크기

-

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

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전압-공급

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작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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