NANDAAR4N4AZBA5E
참조 용
| 부품 번호 | NANDAAR4N4AZBA5E |
| PNEDA 부품 번호 | NANDAAR4N4AZBA5E |
| 설명 | IC FLASH 2G SDR |
| 제조업체 | Micron Technology Inc. |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 3,348 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 3월 3 - 3월 8 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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NANDAAR4N4AZBA5E 리소스
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NANDAAR4N4AZBA5E 사양
| 제조업체 | Micron Technology Inc. |
| 시리즈 | * |
| 메모리 유형 | - |
| 메모리 포맷 | - |
| 기술 | - |
| 메모리 크기 | - |
| 메모리 인터페이스 | - |
| 시계 주파수 | - |
| 쓰기주기 시간-단어, 페이지 | - |
| 접근 시간 | - |
| 전압-공급 | - |
| 작동 온도 | - |
| 장착 유형 | - |
| 패키지 / 케이스 | - |
| 공급자 장치 패키지 | - |
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제조업체 Microchip Technology 시리즈 - 메모리 유형 Non-Volatile 메모리 포맷 EEPROM 기술 EEPROM 메모리 크기 1Kb (128 x 8, 64 x 16) 메모리 인터페이스 SPI 시계 주파수 2MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 10ms 접근 시간 - 전압-공급 2.5V ~ 5.5V 작동 온도 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지 8-PDIP |
