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NCP5911MNTBG

NCP5911MNTBG

참조 용

부품 번호 NCP5911MNTBG
PNEDA 부품 번호 NCP5911MNTBG
설명 IC MOSFET DVR SYNC VR12 8-DFN
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 5,148
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 29 - 7월 4 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NCP5911MNTBG 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NCP5911MNTBG
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버
데이터 시트
NCP5911MNTBG, NCP5911MNTBG 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 124.75 KB)
PDFNCP5911MNTBG 데이터 시트 표지
NCP5911MNTBG 데이터 시트 페이지 2 NCP5911MNTBG 데이터 시트 페이지 3 NCP5911MNTBG 데이터 시트 페이지 4 NCP5911MNTBG 데이터 시트 페이지 5 NCP5911MNTBG 데이터 시트 페이지 6 NCP5911MNTBG 데이터 시트 페이지 7 NCP5911MNTBG 데이터 시트 페이지 8 NCP5911MNTBG 데이터 시트 페이지 9

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NCP5911MNTBG 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
구동 구성Half-Bridge
채널 유형Synchronous
드라이버 수2
게이트 유형N-Channel MOSFET
전압-공급4.5V ~ 5.5V
논리 전압-VIL, VIH0.6V, 3.3V
전류-피크 출력 (소스, 싱크)-
입력 유형Non-Inverting
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)-
상승 / 하강 시간 (일반)16ns, 11ns
작동 온도0°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-VFDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지8-DFN (2x2)

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제조업체

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시리즈

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구동 구성

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채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

IGBT

전압-공급

14.5V ~ 15.5V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

35A, 35A

입력 유형

-

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

3300V

상승 / 하강 시간 (일반)

9ns, 30ns

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

MIC4605-1YM-TR

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

5.5V ~ 16V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1A, 1A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

108V

상승 / 하강 시간 (일반)

20ns, 20ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

TC427EOA713

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 18V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.4V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.5A, 1.5A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

30ns, 30ns

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

IR2011

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

구동 구성

High-Side or Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

10V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

0.7V, 2.2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1A, 1A

입력 유형

Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

200V

상승 / 하강 시간 (일반)

35ns, 20ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

8-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

8-PDIP

MAX4429EPA+

Maxim Integrated

제조업체

Maxim Integrated

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 18V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.4V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

6A, 6A

입력 유형

Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

25ns, 25ns

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

8-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

8-PDIP

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