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NCP81074BMNTBG

NCP81074BMNTBG

참조 용

부품 번호 NCP81074BMNTBG
PNEDA 부품 번호 NCP81074BMNTBG
설명 IC MOSFET DVR 1CH 10A 8DFN
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 8,262
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NCP81074BMNTBG 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NCP81074BMNTBG
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버
데이터 시트
NCP81074BMNTBG, NCP81074BMNTBG 데이터 시트 (총 페이지: 14, 크기: 370.38 KB)
PDFNCP81074BMNTBG 데이터 시트 표지
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NCP81074BMNTBG 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
구동 구성Low-Side
채널 유형Single
드라이버 수1
게이트 유형N-Channel MOSFET
전압-공급4.5V ~ 20V
논리 전압-VIL, VIH-
전류-피크 출력 (소스, 싱크)10A, 10A
입력 유형Inverting, Non-Inverting
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)-
상승 / 하강 시간 (일반)4ns, 4ns
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-VFDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지8-DFN (2x2)

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제조업체

Maxim Integrated

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

8V ~ 12.6V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

2A, 2A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

125V

상승 / 하강 시간 (일반)

65ns, 65ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

MIC4422BM TR

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 18V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.4V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

9A, 9A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

20ns, 24ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

LM5100CMA/NOPB

Texas Instruments

제조업체

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

9V ~ 14V

논리 전압-VIL, VIH

2.3V, -

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1A, 1A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

118V

상승 / 하강 시간 (일반)

990ns, 715ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

UC2707DWTR

Texas Instruments

제조업체

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

5V ~ 40V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.5A, 1.5A

입력 유형

Inverting, Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

40ns, 40ns

작동 온도

-25°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

공급자 장치 패키지

16-SOIC

IR21094

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

10V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.9V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

200mA, 350mA

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

150ns, 50ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

14-DIP

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