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NCV51511PDR2G

NCV51511PDR2G

참조 용

부품 번호 NCV51511PDR2G
PNEDA 부품 번호 NCV51511PDR2G
설명 HIGH SIDE AND LOW SIDE GA
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 8,388
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 11 - 4월 16 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NCV51511PDR2G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NCV51511PDR2G
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버
데이터 시트
NCV51511PDR2G, NCV51511PDR2G 데이터 시트 (총 페이지: 14, 크기: 482.21 KB)
PDFNCV51511PDR2G 데이터 시트 표지
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  • NCV51511PDR2G Distributor

NCV51511PDR2G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈Automotive, AEC-Q100
구동 구성High-Side or Low-Side
채널 유형Synchronous
드라이버 수2
게이트 유형N-Channel MOSFET
전압-공급8V ~ 16V
논리 전압-VIL, VIH2V, 1.8V
전류-피크 출력 (소스, 싱크)3A, 6A
입력 유형Non-Inverting
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)100V
상승 / 하강 시간 (일반)6ns, 4ns
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
공급자 장치 패키지8-SOIC-EP

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제조업체

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

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2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

9V ~ 14V

논리 전압-VIL, VIH

2.3V, -

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1A, 1A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

118V

상승 / 하강 시간 (일반)

990ns, 715ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

MC34151DR2

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

6.5V ~ 18V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.6V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.5A, 1.5A

입력 유형

Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

31ns, 32ns

작동 온도

0°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

ISL6612CBZ

Renesas Electronics America Inc.

제조업체

Renesas Electronics America Inc.

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

10.8V ~ 13.2V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.25A, 2A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

36V

상승 / 하강 시간 (일반)

26ns, 18ns

작동 온도

0°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

MIC4479YM-T5

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 32V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.4V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

2.5A, 2.5A

입력 유형

Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

120ns, 45ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

LTC1693-2CS8#PBF

Linear Technology/Analog Devices

제조업체

Linear Technology/Analog Devices

시리즈

-

구동 구성

High-Side or Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 13.2V

논리 전압-VIL, VIH

1.7V, 2.2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.5A, 1.5A

입력 유형

Inverting, Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

16ns, 16ns

작동 온도

0°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

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