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NDH8304P

NDH8304P

참조 용

부품 번호 NDH8304P
PNEDA 부품 번호 NDH8304P
설명 MOSFET 2P-CH 20V 2.7A SSOT8
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 8,316
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 28 - 12월 3 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NDH8304P 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NDH8304P
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
NDH8304P, NDH8304P 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 60.18 KB)
PDFNDH8304P 데이터 시트 표지
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NDH8304P 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형2 P-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)2.7A
Rds On (최대) @ Id, Vgs70mOhm @ 2.7A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs23nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds865pF @ 10V
전력-최대800mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)
공급자 장치 패키지SuperSOT™-8

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

60mOhm @ 4.3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

14nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

475pF @ 25V

전력-최대

25W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

PowerPAK® SO-8 Dual

공급자 장치 패키지

PowerPAK® SO-8 Dual

FDMS3668S

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

PowerTrench®

FET 유형

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

13A, 18A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

8mOhm @ 13A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.7V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

29nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1765pF @ 15V

전력-최대

1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN

공급자 장치 패키지

Power56

EPC2105

EPC

제조업체

EPC

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Half Bridge)

FET 기능

GaNFET (Gallium Nitride)

드레인-소스 전압 (Vdss)

80V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

9.5A, 38A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

14.5mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 2.5mA, 2.5V @ 10mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

2.5nC @ 5V, 10nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

300pF @ 40V, 1100pF @ 40V

전력-최대

-

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

Die

공급자 장치 패키지

Die

SIA975DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

12V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

41mOhm @ 4.3A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

26nC @ 8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1500pF @ 6V

전력-최대

7.8W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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FET 유형

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FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6.5A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

46mOhm @ 6.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 10µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

2.6nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

195pF @ 20V

전력-최대

1.1W (Ta)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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