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NDUL09N150CG

NDUL09N150CG

참조 용

부품 번호 NDUL09N150CG
PNEDA 부품 번호 NDUL09N150CG
설명 MOSFET N-CH 1500V 9A TO3PF-3
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
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NDUL09N150CG 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NDUL09N150CG
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
NDUL09N150CG, NDUL09N150CG 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 605.95 KB)
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NDUL09N150CG 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)1500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)9A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs3Ohm @ 3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs114nC @ 10V
Vgs (최대)±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds2025pF @ 30V
FET 기능-
전력 손실 (최대)3W (Ta), 78W (Tc)
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지TO-3PF-3
패키지 / 케이스TO-3P-3 Full Pack

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20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.5A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

45mOhm @ 3.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

16nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±12V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1030pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.2W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

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FET 유형

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

80A

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

60nC @ 25V

Vgs (최대)

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

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패키지 / 케이스

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

28A (Ta), 172A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.3mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

113nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5880pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.2W (Ta), 125W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

5-DFN (5x6) (8-SOFL)

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN, 5 Leads

STL36N55M5

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제조업체

STMicroelectronics

시리즈

MDmesh™ V

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

550V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

22.5A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

90mOhm @ 16.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

62nC @ 10V

Vgs (최대)

±25V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2670pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.8W (Ta), 150W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

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드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

60A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

7mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

8.4nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1155pF @ 15V

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-

전력 손실 (최대)

2W (Ta)

작동 온도

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