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NE3510M04-A

NE3510M04-A

참조 용

부품 번호 NE3510M04-A
PNEDA 부품 번호 NE3510M04-A
설명 FET RF 4V 4GHZ M04
제조업체 CEL
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NE3510M04-A 리소스

브랜드 CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NE3510M04-A
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
NE3510M04-A, NE3510M04-A 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 484.18 KB)
PDFNE3510M04-T2-A 데이터 시트 표지
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NE3510M04-A 사양

제조업체CEL
시리즈-
트랜지스터 유형HFET
주파수4GHz
이득16dB
전압-테스트2V
전류 정격 (Amps)97mA
소음 수치0.45dB
현재-테스트15mA
전원-출력11dBm
전압-정격4V
패키지 / 케이스SOT-343F
공급자 장치 패키지M04

관심을 가질만한 제품

BLF2425M9LS30U

Ampleon

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.45GHz

이득

18.5dB

전압-테스트

32V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

20mA

전원-출력

30W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-1135B

공급자 장치 패키지

SOT1135B

제조업체

CEL

시리즈

-

트랜지스터 유형

HFET

주파수

20GHz

이득

13.5dB

전압-테스트

2V

전류 정격 (Amps)

70mA

소음 수치

0.65dB

현재-테스트

10mA

전원-출력

-

전압-정격

4V

패키지 / 케이스

4-SMD, Flat Leads

공급자 장치 패키지

S03

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

1.4GHz

이득

17.7dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

500mA

전원-출력

1000W

전압-정격

105V

패키지 / 케이스

NI-1230-4S

공급자 장치 패키지

NI-1230-4S

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.11GHz ~ 2.2GHz

이득

15.4dB

전압-테스트

30V

전류 정격 (Amps)

10µA

소음 수치

-

현재-테스트

600mA

전원-출력

87W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

ACP-1230S-4L2S

공급자 장치 패키지

ACP-1230S-4L2S

BF909,235

NXP

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel Dual Gate

주파수

800MHz

이득

-

전압-테스트

5V

전류 정격 (Amps)

40mA

소음 수치

2dB

현재-테스트

15mA

전원-출력

-

전압-정격

7V

패키지 / 케이스

TO-253-4, TO-253AA

공급자 장치 패키지

SOT-143B

최근 판매

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LPC2388FBD144,551

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