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NE3510M04-T2-A

NE3510M04-T2-A

참조 용

부품 번호 NE3510M04-T2-A
PNEDA 부품 번호 NE3510M04-T2-A
설명 FET RF 4V 4GHZ M04
제조업체 CEL
단가 견적 요청
재고 있음 8,208
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NE3510M04-T2-A 리소스

브랜드 CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NE3510M04-T2-A
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
NE3510M04-T2-A, NE3510M04-T2-A 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 484.18 KB)
PDFNE3510M04-T2-A 데이터 시트 표지
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NE3510M04-T2-A 사양

제조업체CEL
시리즈-
트랜지스터 유형HFET
주파수4GHz
이득16dB
전압-테스트2V
전류 정격 (Amps)97mA
소음 수치0.45dB
현재-테스트15mA
전원-출력-
전압-정격4V
패키지 / 케이스SOT-343F
공급자 장치 패키지M04

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전류 정격 (Amps)

40A

소음 수치

-

현재-테스트

250mA

전원-출력

450W

전압-정격

130V

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

STAC244B

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주파수

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이득

18.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

2.8µA

소음 수치

-

현재-테스트

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전원-출력

172W

전압-정격

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SOT1271-2

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주파수

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이득

22dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

350mA

전원-출력

18W

전압-정격

115V

패키지 / 케이스

TO-272BB

공급자 장치 패키지

TO-272 WB-4

제조업체

CEL

시리즈

-

트랜지스터 유형

pHEMT FET

주파수

12GHz

이득

13.7dB

전압-테스트

2V

전류 정격 (Amps)

15mA

소음 수치

0.5dB

현재-테스트

10mA

전원-출력

125mW

전압-정격

4V

패키지 / 케이스

4-Micro-X

공급자 장치 패키지

4-Micro-X

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.84GHz

이득

20.1dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1A

전원-출력

32W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-780S-2L2LA

공급자 장치 패키지

NI-780S-2L2LA

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