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NE68530-T1

NE68530-T1

참조 용

부품 번호 NE68530-T1
PNEDA 부품 번호 NE68530-T1
설명 RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT323
제조업체 CEL
단가 견적 요청
재고 있음 3,150
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NE68530-T1 리소스

브랜드 CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NE68530-T1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-RF
데이터 시트
NE68530-T1, NE68530-T1 데이터 시트 (총 페이지: 17, 크기: 720.24 KB)
PDFNE68530-A 데이터 시트 표지
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NE68530-T1 사양

제조업체CEL
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)6V
주파수-전환12GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f)1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz
이득7dB
전력-최대150mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce75 @ 10mA, 3V
전류-수집기 (Ic) (최대)30mA
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지SOT-323

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노이즈 지수 (dB Typ @ f)

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이득

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전력-최대

150mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

80 @ 3mA, 1V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-70, SOT-323

공급자 장치 패키지

SOT-323

UPA802T-A

CEL

제조업체

CEL

시리즈

-

트랜지스터 유형

2 NPN (Dual)

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

10V

주파수-전환

7GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1.4dB @ 1GHz

이득

12dB

전력-최대

200mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

70 @ 7mA, 3V

전류-수집기 (Ic) (최대)

65mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

SOT-363

BFR93AE6327HTSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

12V

주파수-전환

6GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

이득

9.5dB ~ 14.5dB

전력-최대

300mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

70 @ 30mA, 8V

전류-수집기 (Ic) (최대)

90mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

UPA811T-A

CEL

제조업체

CEL

시리즈

-

트랜지스터 유형

2 NPN (Dual)

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

10V

주파수-전환

8GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1.9dB @ 2GHz

이득

7.5dB

전력-최대

200mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 3V

전류-수집기 (Ic) (최대)

35mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

SOT-363

MPSH10

Central Semiconductor Corp

제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

25V

주파수-전환

650MHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

-

전력-최대

350mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

60 @ 4mA, 10V

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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