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NE851M33-A

NE851M33-A

참조 용

부품 번호 NE851M33-A
PNEDA 부품 번호 NE851M33-A
설명 RF TRANS NPN 5.5V 4.5GHZ 3SMINI
제조업체 CEL
단가 견적 요청
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예상 배송 11월 27 - 12월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NE851M33-A 리소스

브랜드 CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NE851M33-A
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-RF
데이터 시트
NE851M33-A, NE851M33-A 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 346.8 KB)
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NE851M33-A 사양

제조업체CEL
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)5.5V
주파수-전환4.5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f)1.9dB ~ 2.5dB @ 2GHz
이득-
전력-최대130mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce100 @ 5mA, 1V
전류-수집기 (Ic) (최대)100mA
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스3-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지3-SuperMiniMold (M33)

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Central Semiconductor Corp

제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

40V

주파수-전환

500MHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

-

전력-최대

1W

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

10 @ 50mA, 5V

전류-수집기 (Ic) (최대)

400mA

작동 온도

-65°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

공급자 장치 패키지

TO-39

1014-12

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

주파수-전환

1GHz ~ 1.4GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

6.8dB

전력-최대

39W

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

10 @ 200mA, 5V

전류-수집기 (Ic) (최대)

5A

작동 온도

200°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

55LT

공급자 장치 패키지

55LT

CPH6021-TL-H

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

12V

주파수-전환

10GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1.2dB @ 1GHz

이득

14dB @ 1GHz

전력-최대

700mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

60 @ 50mA, 5V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-74, SOT-457

공급자 장치 패키지

6-CPH

MAX2601ESA+

Maxim Integrated

제조업체

Maxim Integrated

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

15V

주파수-전환

1GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

3.3dB @ 836MHz

이득

11.6dB

전력-최대

6.4W

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 250mA, 3V

전류-수집기 (Ic) (최대)

1.2A

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-SOIC-EP

HFA3127RZ96

Renesas Electronics America Inc.

제조업체

Renesas Electronics America Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

5 NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

12V

주파수-전환

8GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

3.5dB @ 1GHz

이득

-

전력-최대

150mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

40 @ 10mA, 2V

전류-수집기 (Ic) (최대)

65mA

작동 온도

175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

16-VFQFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

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