NE85633-T1B
참조 용
| 부품 번호 | NE85633-T1B |
| PNEDA 부품 번호 | NE85633-T1B |
| 설명 | RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23 |
| 제조업체 | CEL |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 4,482 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 6월 22 - 6월 27 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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NE85633-T1B 리소스
| 브랜드 | CEL |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | NE85633-T1B |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-양극 (BJT)-RF |
| 데이터 시트 |
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NE85633-T1B 사양
| 제조업체 | CEL |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | NPN |
| 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) | 12V |
| 주파수-전환 | 7GHz |
| 노이즈 지수 (dB Typ @ f) | 1.4dB ~ 2dB @ 1GHz |
| 이득 | 9dB |
| 전력-최대 | 200mW |
| DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce | 50 @ 20mA, 10V |
| 전류-수집기 (Ic) (최대) | 100mA |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 공급자 장치 패키지 | SOT-23 |
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제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - 트랜지스터 유형 - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) - 주파수-전환 - 노이즈 지수 (dB Typ @ f) - 이득 - 전력-최대 - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce - 전류-수집기 (Ic) (최대) - 작동 온도 - 장착 유형 - 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - |
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제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - 트랜지스터 유형 - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) - 주파수-전환 - 노이즈 지수 (dB Typ @ f) - 이득 - 전력-최대 - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce - 전류-수집기 (Ic) (최대) - 작동 온도 - 장착 유형 - 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - |
제조업체 Maxim Integrated 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 15V 주파수-전환 1GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f) 3.3dB @ 836MHz 이득 11.6dB 전력-최대 6.4W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 100 @ 250mA, 3V 전류-수집기 (Ic) (최대) 1.2A 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad 공급자 장치 패키지 8-SOIC-EP |
