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NESG2030M04-T2-A

NESG2030M04-T2-A

참조 용

부품 번호 NESG2030M04-T2-A
PNEDA 부품 번호 NESG2030M04-T2-A
설명 RF TRANS NPN 2.3V 60GHZ M04
제조업체 CEL
단가 견적 요청
재고 있음 3,132
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 18 - 4월 23 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NESG2030M04-T2-A 리소스

브랜드 CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NESG2030M04-T2-A
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-RF
데이터 시트
NESG2030M04-T2-A, NESG2030M04-T2-A 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 428.56 KB)
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NESG2030M04-T2-A 사양

제조업체CEL
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)2.3V
주파수-전환60GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f)0.9dB ~ 1.1dB @ 2GHz
이득16dB
전력-최대80mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce200 @ 5mA, 2V
전류-수집기 (Ic) (최대)35mA
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SOT-343F
공급자 장치 패키지M04

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시리즈

-

트랜지스터 유형

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

8V

주파수-전환

9GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1.1dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 2GHz

이득

-

전력-최대

500mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 6V

전류-수집기 (Ic) (최대)

18mA

작동 온도

175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

6-TSSOP

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

20V

주파수-전환

600MHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

-

전력-최대

350mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 10V

전류-수집기 (Ic) (최대)

50mA

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

MSC1175MA

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

65V

주파수-전환

1.025GHz ~ 1.15GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

8dB

전력-최대

400W

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

15 @ 1A, 5V

전류-수집기 (Ic) (최대)

12A

작동 온도

250°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

M218

공급자 장치 패키지

M218

BFQ31ATC

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

15V

주파수-전환

600MHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

6dB @ 60MHz

이득

-

전력-최대

330mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 3mA, 1V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

2N5179

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

12V

주파수-전환

200MHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

4.5dB @ 200MHz

이득

20dB

전력-최대

300mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

25 @ 3mA, 1V

전류-수집기 (Ic) (최대)

50mA

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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