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NGB8202NT4

NGB8202NT4

참조 용

부품 번호 NGB8202NT4
PNEDA 부품 번호 NGB8202NT4
설명 IGBT 440V 20A 150W D2PAK
제조업체 ON Semiconductor
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NGB8202NT4 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NGB8202NT4
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
NGB8202NT4, NGB8202NT4 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 144.89 KB)
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NGB8202NT4 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)440V
전류-수집기 (Ic) (최대)20A
전류-수집기 펄스 (Icm)50A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic1.9V @ 4.5V, 20A
전력-최대150W
에너지 전환-
입력 유형Logic
게이트 차지-
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C-/5µs
테스트 조건300V, 9A, 1kOhm, 5V
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지D2PAK

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

21A

전류-수집기 펄스 (Icm)

24A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 8A

전력-최대

100W

에너지 전환

200µJ (on), 90µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

30nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

30ns/100ns

테스트 조건

400V, 8A, 50Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

86ns

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D2PAK

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

60A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 40A

전력-최대

300W

에너지 전환

6.1mJ (on), 3mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

150nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

600V, 40A, 39Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

180ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3P-3 Full Pack

공급자 장치 패키지

TO-247AD

STGW20H60DF

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전류-수집기 펄스 (Icm)

80A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 20A

전력-최대

167W

에너지 전환

209µJ (on), 261µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

115nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

42.5ns/177ns

테스트 조건

400V, 20A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

90ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247

FGH40N6S2D

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

75A

전류-수집기 펄스 (Icm)

180A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 20A

전력-최대

290W

에너지 전환

115µJ (on), 195µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

35nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

8ns/35ns

테스트 조건

390V, 20A, 3Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

48ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247-3

TIG110BF

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

27A

전류-수집기 펄스 (Icm)

108A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 15A

전력-최대

2W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

95nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

65ns/250ns

테스트 조건

300V, 15A, 30Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

공급자 장치 패키지

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