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NGD18N40ACLBT4G

NGD18N40ACLBT4G

참조 용

부품 번호 NGD18N40ACLBT4G
PNEDA 부품 번호 NGD18N40ACLBT4G
설명 IGBT 430V 15A 115W DPAK-3
제조업체 Littelfuse
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 4 - 2월 9 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NGD18N40ACLBT4G 리소스

브랜드 Littelfuse
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NGD18N40ACLBT4G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
NGD18N40ACLBT4G, NGD18N40ACLBT4G 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 963.47 KB)
PDFNGD18N40ACLBT4G 데이터 시트 표지
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  • NGD18N40ACLBT4G Distributor

NGD18N40ACLBT4G 사양

제조업체Littelfuse Inc.
시리즈-
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)430V
전류-수집기 (Ic) (최대)15A
전류-수집기 펄스 (Icm)50A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.5V @ 4V, 15A
전력-최대115W
에너지 전환-
입력 유형Logic
게이트 차지-
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C-
테스트 조건-
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지DPAK

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제조업체

Renesas Electronics America

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

25A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 12A

전력-최대

34W

에너지 전환

30µJ (on), 180µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

32nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

33ns/65ns

테스트 조건

300V, 12A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

25ns

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

공급자 장치 패키지

TO-220FL

RJH60D3DPE-00#J3

Renesas Electronics America

제조업체

Renesas Electronics America

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

35A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 17A

전력-최대

113W

에너지 전환

200µJ (on), 210µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

37nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

35ns/80ns

테스트 조건

300V, 17A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

100ns

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-83

공급자 장치 패키지

4-LDPAK

IRG7PH42UD-EPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

*

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

-

전력-최대

-

에너지 전환

-

입력 유형

-

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

APT64GA90LD30

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

POWER MOS 8™

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

900V

전류-수집기 (Ic) (최대)

117A

전류-수집기 펄스 (Icm)

193A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.1V @ 15V, 38A

전력-최대

500W

에너지 전환

1192µJ (on), 1088µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

162nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

18ns/131ns

테스트 조건

600V, 38A, 4.7Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-264-3, TO-264AA

공급자 장치 패키지

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STGP6NC60H

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

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IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

15A

전류-수집기 펄스 (Icm)

21A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 3A

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에너지 전환

20µJ (on), 68µJ (off)

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게이트 차지

13.6nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

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