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NGTB30N60IHLWG

NGTB30N60IHLWG

참조 용

부품 번호 NGTB30N60IHLWG
PNEDA 부품 번호 NGTB30N60IHLWG
설명 IGBT 600V 30A TO247
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 30 - 12월 5 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NGTB30N60IHLWG 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NGTB30N60IHLWG
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
NGTB30N60IHLWG, NGTB30N60IHLWG 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 134.01 KB)
PDFNGTB30N60IHLWG 데이터 시트 표지
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  • NGTB30N60IHLWG Distributor

NGTB30N60IHLWG 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
IGBT 유형Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)60A
전류-수집기 펄스 (Icm)150A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.3V @ 15V, 30A
전력-최대250W
에너지 전환280µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지130nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C70ns/140ns
테스트 조건400V, 30A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)400ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지TO-247

관심을 가질만한 제품

NGTB30N60SWG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

60A

전류-수집기 펄스 (Icm)

120A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 30A

전력-최대

189W

에너지 전환

750µJ (on), 540µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

90nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

57ns/109ns

테스트 조건

400V, 30A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

200ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247

제조업체

IXYS

시리즈

XPT™, GenX3™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

33A

전류-수집기 펄스 (Icm)

140A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.85V @ 15V, 24A

전력-최대

90W

에너지 전환

550µJ (on), 800µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

39nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

23ns/150ns

테스트 조건

400V, 24A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

36ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3P-3 Full Pack

공급자 장치 패키지

TO-3P

STGWA40S120DF3

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전류-수집기 펄스 (Icm)

160A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 40A

전력-최대

468W

에너지 전환

1.43mJ (on), 3.83mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

129nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

35ns/148ns

테스트 조건

600V, 40A, 15Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

355ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247-3

SGH80N60UFDTU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전류-수집기 펄스 (Icm)

220A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 40A

전력-최대

195W

에너지 전환

570µJ (on), 590µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

175nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

23ns/90ns

테스트 조건

300V, 40A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

95ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3P-3, SC-65-3

공급자 장치 패키지

TO-3P

APT15GP60BDLG

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

56A

전류-수집기 펄스 (Icm)

65A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 15A

전력-최대

250W

에너지 전환

130µJ (on), 121µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

55nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

8ns/29ns

테스트 조건

400V, 15A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247

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0437007.WR

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HSMS-2820-TR1G

Broadcom

RF DIODE SCHOTTKY 15V SOT23-3

BK0603HS330-T

BK0603HS330-T

Taiyo Yuden

FERRITE BEAD 33 OHM 0201 1LN

1SMB5931BT3G

1SMB5931BT3G

ON Semiconductor

DIODE ZENER 18V 550MW SMB

IRLH5030TRPBF

IRLH5030TRPBF

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 100V 13A 8PQFN

74LVC1G04Z-7

74LVC1G04Z-7

Diodes Incorporated

IC INVERTER 1CH 1-INP SOT553