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NGTB30N65IHL2WG

NGTB30N65IHL2WG

참조 용

부품 번호 NGTB30N65IHL2WG
PNEDA 부품 번호 NGTB30N65IHL2WG
설명 IGBT 600V 70A 300W TO247
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 2,862
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예상 배송 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NGTB30N65IHL2WG 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NGTB30N65IHL2WG
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
NGTB30N65IHL2WG, NGTB30N65IHL2WG 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 91.45 KB)
PDFNGTB30N65IHL2WG 데이터 시트 표지
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NGTB30N65IHL2WG 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
IGBT 유형Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)650V
전류-수집기 (Ic) (최대)60A
전류-수집기 펄스 (Icm)120A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.2V @ 15V, 30A
전력-최대300W
에너지 전환200µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지135nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C-/145ns
테스트 조건400V, 30A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)430ns
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지TO-247-3

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100A

전류-수집기 펄스 (Icm)

120A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 40A

전력-최대

420W

에너지 전환

2.8mJ (on), 2.3mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

345nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

40ns/240ns

테스트 조건

600V, 40A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

210ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AC

APT20GT60BRDQ1G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Thunderbolt IGBT®

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

43A

전류-수집기 펄스 (Icm)

80A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 20A

전력-최대

174W

에너지 전환

215µJ (on), 245µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

100nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

8ns/80ns

테스트 조건

400V, 20A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247 [B]

제조업체

IXYS

시리즈

HiPerFAST™

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

75A

전류-수집기 펄스 (Icm)

200A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 40A

전력-최대

400W

에너지 전환

550µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

140nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

18ns/190ns

테스트 조건

480V, 40A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AD (IXGH)

IXSH45N120

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

75A

전류-수집기 펄스 (Icm)

180A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 45A

전력-최대

300W

에너지 전환

21mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

150nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

80ns/400ns

테스트 조건

960V, 45A, 2.7Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AD (IXSH)

IRGP4263PBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

90A

전류-수집기 펄스 (Icm)

192A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 48A

전력-최대

300W

에너지 전환

1.7mJ (on), 1mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

150nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

70ns/140ns

테스트 조건

400V, 48A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AC

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P6KE150A

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NE3509M04-A

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7508110151

7508110151

Wurth Electronics Midcom

WE-UNIT OFFLINE TRANSFORMER

MBR140SFT1G

MBR140SFT1G

ON Semiconductor

DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD123L