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NGTB50N60L2WG

NGTB50N60L2WG

참조 용

부품 번호 NGTB50N60L2WG
PNEDA 부품 번호 NGTB50N60L2WG
설명 IGBT 600V 50A TO247
제조업체 ON Semiconductor
단가
1 ---------- $59.3664
100 ---------- $56.5836
250 ---------- $53.8008
500 ---------- $51.0180
750 ---------- $48.6990
1,000 ---------- $46.3800
재고 있음 428
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NGTB50N60L2WG 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NGTB50N60L2WG
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
NGTB50N60L2WG, NGTB50N60L2WG 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 240.45 KB)
PDFNGTB50N60L2WG 데이터 시트 표지
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  • NGTB50N60L2WG Distributor

NGTB50N60L2WG 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
IGBT 유형Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)100A
전류-수집기 펄스 (Icm)200A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic1.8V @ 15V, 50A
전력-최대500W
에너지 전환800µJ (on), 600µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지310nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C110ns/270ns
테스트 조건400V, 50A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)67ns
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지TO-247

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제조업체

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시리즈

-

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

48A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

-

전력-최대

-

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

공급자 장치 패키지

TO-268

STGB12NB60KDT4

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

PowerMESH™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

30A

전류-수집기 펄스 (Icm)

60A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 12A

전력-최대

125W

에너지 전환

258µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

54nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

25ns/96ns

테스트 조건

480V, 12A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

80ns

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D2PAK

IKU06N60RBKMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

TrenchStop®

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

12A

전류-수집기 펄스 (Icm)

18A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 6A

전력-최대

100W

에너지 전환

330µJ

입력 유형

Standard

게이트 차지

48nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

12ns/127ns

테스트 조건

400V, 6A, 23Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

68ns

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

공급자 장치 패키지

PG-TO251-3

IRGB4615DPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

23A

전류-수집기 펄스 (Icm)

24A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.85V @ 15V, 8A

전력-최대

99W

에너지 전환

70µJ (on), 145µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

19nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

30ns/95ns

테스트 조건

400V, 8A, 47Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

60ns

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

IRG4RC20FPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

22A

전류-수집기 펄스 (Icm)

44A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 12A

전력-최대

66W

에너지 전환

190µJ (on), 920µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

27nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

26ns/194ns

테스트 조건

480V, 12A, 50Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

D-Pak

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