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NGTD13T65F2WP

NGTD13T65F2WP

참조 용

부품 번호 NGTD13T65F2WP
PNEDA 부품 번호 NGTD13T65F2WP
설명 IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 4,410
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 30 - 12월 5 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NGTD13T65F2WP 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NGTD13T65F2WP
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
NGTD13T65F2WP, NGTD13T65F2WP 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 98.68 KB)
PDFNGTD13T65F2WP 데이터 시트 표지
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  • NGTD13T65F2WP Distributor

NGTD13T65F2WP 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
IGBT 유형Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)650V
전류-수집기 (Ic) (최대)-
전류-수집기 펄스 (Icm)120A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.2V @ 15V, 30A
전력-최대-
에너지 전환-
입력 유형Standard
게이트 차지-
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C-
테스트 조건-
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스Die
공급자 장치 패키지Die

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

85A

전류-수집기 펄스 (Icm)

200A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 60A

전력-최대

350W

에너지 전환

3.26mJ (on), 2.27mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

340nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

90ns/245ns

테스트 조건

480V, 60A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

82ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-274AA

공급자 장치 패키지

SUPER-247™ (TO-274AA)

NGTB40N120FL2WAG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

160A

전류-수집기 펄스 (Icm)

160A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 40A

전력-최대

536W

에너지 전환

1.7mJ (on), 1.1mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

313nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

30ns/145ns

테스트 조건

600V, 40A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

240ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-4

공급자 장치 패키지

TO-247-4L

제조업체

IXYS

시리즈

BIMOSFET™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1700V

전류-수집기 (Ic) (최대)

30A

전류-수집기 펄스 (Icm)

60A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

6V @ 15V, 14A

전력-최대

300W

에너지 전환

1.2mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

105nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

35ns/265ns

테스트 조건

850V, 14A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

360ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AD (IXBH)

FGA30S120P

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1300V

전류-수집기 (Ic) (최대)

60A

전류-수집기 펄스 (Icm)

150A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 30A

전력-최대

348W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

78nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3P-3, SC-65-3

공급자 장치 패키지

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IRG4BH20K-LPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

11A

전류-수집기 펄스 (Icm)

22A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

4.3V @ 15V, 5A

전력-최대

60W

에너지 전환

450µJ (on), 440µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

28nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

23ns/93ns

테스트 조건

960V, 5A, 50Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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