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NGTG15N60S1EG

NGTG15N60S1EG

참조 용

부품 번호 NGTG15N60S1EG
PNEDA 부품 번호 NGTG15N60S1EG
설명 IGBT 600V 30A 117W TO220-3
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 19,746
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 10 - 2월 15 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NGTG15N60S1EG 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NGTG15N60S1EG
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
NGTG15N60S1EG, NGTG15N60S1EG 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 124.35 KB)
PDFNGTG15N60S1EG 데이터 시트 표지
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  • NGTG15N60S1EG Distributor

NGTG15N60S1EG 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
IGBT 유형NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)30A
전류-수집기 펄스 (Icm)120A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic1.7V @ 15V, 15A
전력-최대117W
에너지 전환550µJ (on), 350µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지88nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C65ns/170ns
테스트 조건400V, 15A, 22Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-220-3
공급자 장치 패키지TO-220

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제조업체

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IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전류-수집기 펄스 (Icm)

120A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 20A

전력-최대

180W

에너지 전환

2.85mJ (on), 6.47mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

50nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

16ns/290ns

테스트 조건

960V, 20A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

TO-263 (IXGA)

NGTB50N65FL2WG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100A

전류-수집기 펄스 (Icm)

200A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 50A

전력-최대

417W

에너지 전환

1.5mJ (on), 460µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

220nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

100ns/237ns

테스트 조건

400V, 50A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

94ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247-3

제조업체

IXYS

시리즈

GenX3™

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

60A

전류-수집기 펄스 (Icm)

150A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 20A

전력-최대

220W

에너지 전환

270µJ (on), 90µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

38nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

16ns/42ns

테스트 조건

300V, 20A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

60ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

TO-263 (IXGA)

STGP10NB60S

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

PowerMESH™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

29A

전류-수집기 펄스 (Icm)

80A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.75V @ 15V, 10A

전력-최대

80W

에너지 전환

600µJ (on), 5mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

33nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

700ns/1.2µs

테스트 조건

480V, 10A, 1kOhm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

STGB6NC60HDT4

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

PowerMESH™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

15A

전류-수집기 펄스 (Icm)

21A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 3A

전력-최대

56W

에너지 전환

20µJ (on), 68µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

13.6nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

12ns/76ns

테스트 조건

390V, 3A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

21ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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