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NHPV08S600G

NHPV08S600G

참조 용

부품 번호 NHPV08S600G
PNEDA 부품 번호 NHPV08S600G
설명 DIODE GEN PURP 600V 8A TO220-2
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 10,920
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NHPV08S600G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NHPV08S600G
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
NHPV08S600G, NHPV08S600G 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 61.13 KB)
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NHPV08S600G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)600V
전류-평균 정류 (Io)8A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If3.2V @ 8A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)50ns
전류-역방향 누설 @ Vr30µA @ 600V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-220-2
공급자 장치 패키지TO-220-2
작동 온도-접합-55°C ~ 150°C

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

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전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

150ns

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 400V

커패시턴스 @ Vr, F

9pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-220AA

공급자 장치 패키지

DO-220AA (SMP)

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

SD101CW RHG

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

40V

전류-평균 정류 (Io)

15mA (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 15mA

속도

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

역 복구 시간 (trr)

1ns

전류-역방향 누설 @ Vr

200nA @ 40V

커패시턴스 @ Vr, F

2.2pF @ 0V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOD-123

공급자 장치 패키지

SOD-123

작동 온도-접합

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SR320HB0G

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

Automotive, AEC-Q101

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

3A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

950mV @ 3A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 200V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-201AD, Axial

공급자 장치 패키지

DO-201AD

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

SE30PAJHM3/I

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

eSMP®

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

3A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.16V @ 3A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

1.3µs

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

13pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-221BC, SMA Flat Leads Exposed Pad

공급자 장치 패키지

DO-221BC (SMPA)

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JAN1N6391

Microsemi

제조업체

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다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

45V

전류-평균 정류 (Io)

22.5A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

680mV @ 50A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1.5mA @ 45V

커패시턴스 @ Vr, F

2000pF @ 5V, 1MHz

장착 유형

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패키지 / 케이스

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