NJVMJD122T4G
참조 용
| 부품 번호 | NJVMJD122T4G |
| PNEDA 부품 번호 | NJVMJD122T4G |
| 설명 | TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 3,528 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 11월 7 - 11월 12 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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NJVMJD122T4G 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | NJVMJD122T4G |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-양극 (BJT)-단일 |
| 데이터 시트 |
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NJVMJD122T4G 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | Automotive, AEC-Q101 |
| 트랜지스터 유형 | NPN - Darlington |
| 전류-수집기 (Ic) (최대) | 8A |
| 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) | 100V |
| Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic | 4V @ 80mA, 8A |
| 전류-수집기 차단 (최대) | 10µA |
| DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce | 1000 @ 4A, 4V |
| 전력-최대 | 1.75W |
| 주파수-전환 | 4MHz |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 공급자 장치 패키지 | DPAK |
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN 전류-수집기 (Ic) (최대) 6A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 3V @ 60mA, 6A 전류-수집기 차단 (최대) 500µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 750 @ 2A, 3V 전력-최대 50W 주파수-전환 - 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-220-3 공급자 장치 패키지 TO-220-3 |
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제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN 전류-수집기 (Ic) (최대) 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 150V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 260mV @ 400mA, 4A 전류-수집기 차단 (최대) 50nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 100 @ 1A, 5V 전력-최대 1.2W 주파수-전환 90MHz 작동 온도 -55°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 E-Line-3 공급자 장치 패키지 E-Line (TO-92 compatible) |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN 전류-수집기 (Ic) (최대) 1.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 500mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대) 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 63 @ 150mA, 2V 전력-최대 1.25W 주파수-전환 - 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-225AA, TO-126-3 공급자 장치 패키지 TO-126-3 |
