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NLX2G86MUTCG

NLX2G86MUTCG

참조 용

부품 번호 NLX2G86MUTCG
PNEDA 부품 번호 NLX2G86MUTCG
설명 IC GATE XOR 2CH 2-INP 8UQFN
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 24,516
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 1월 20 - 1월 25 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NLX2G86MUTCG 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NLX2G86MUTCG
분류반도체로직 IC논리-게이트 및 인버터
데이터 시트
NLX2G86MUTCG, NLX2G86MUTCG 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 128.12 KB)
PDFNLX2G86MUTCG 데이터 시트 표지
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NLX2G86MUTCG 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
논리 유형XOR (Exclusive OR)
회로 수2
입력 수2
특징-
전압-공급1.65V ~ 5.5V
전류-대기 (최대)1µA
전류-출력 높음, 낮음32mA, 32mA
논리 레벨-낮음-
논리 레벨-높음-
V, 최대 CL에서 최대 전파 지연4.2ns @ 5V, 50pF
작동 온도-40°C ~ 125°C
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지8-UQFN (1.6x1.6)
패키지 / 케이스8-UFQFN

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74AS

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NAND Gate

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2

특징

-

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

전류-대기 (최대)

-

전류-출력 높음, 낮음

48mA, 48mA

논리 레벨-낮음

0.8V

논리 레벨-높음

2V

V, 최대 CL에서 최대 전파 지연

4ns @ 5V, 50pF

작동 온도

0°C ~ 70°C

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

20-SOIC

패키지 / 케이스

20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

제조업체

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시리즈

74HC

논리 유형

NOR Gate

회로 수

2

입력 수

4

특징

-

전압-공급

2V ~ 6V

전류-대기 (최대)

2µA

전류-출력 높음, 낮음

5.2mA, 5.2mA

논리 레벨-낮음

0.5V ~ 1.8V

논리 레벨-높음

1.5V ~ 4.2V

V, 최대 CL에서 최대 전파 지연

17ns @ 6V, 50pF

작동 온도

-40°C ~ 125°C

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

14-DIP

패키지 / 케이스

14-DIP (0.300", 7.62mm)

SN74LVC1G14DRY2

Texas Instruments

제조업체

시리즈

74LVC

논리 유형

Inverter

회로 수

1

입력 수

1

특징

Schmitt Trigger

전압-공급

1.65V ~ 5.5V

전류-대기 (최대)

10µA

전류-출력 높음, 낮음

32mA, 32mA

논리 레벨-낮음

0.39V ~ 1.87V

논리 레벨-높음

1.16V ~ 3.33V

V, 최대 CL에서 최대 전파 지연

5ns @ 5V, 50pF

작동 온도

-40°C ~ 85°C

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-SON (1.5x1)

패키지 / 케이스

6-UFDFN

74LVC2G38HK3-7

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

74LVC

논리 유형

NAND Gate

회로 수

2

입력 수

4

특징

Open Drain

전압-공급

1.65V ~ 5.5V

전류-대기 (최대)

10µA

전류-출력 높음, 낮음

-, 32mA

논리 레벨-낮음

0.1V ~ 0.8V

논리 레벨-높음

-

V, 최대 CL에서 최대 전파 지연

3.3ns @ 3.3V, 50pF

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

X2-DFN1410-8

패키지 / 케이스

8-XFDFN

SN74AUP2G00QDCURQ1

Texas Instruments

제조업체

시리즈

Automotive, AEC-Q100, 74AUP

논리 유형

NAND Gate

회로 수

2

입력 수

2

특징

-

전압-공급

0.8V ~ 3.6V

전류-대기 (최대)

500nA

전류-출력 높음, 낮음

4mA, 4mA

논리 레벨-낮음

0.7V ~ 0.9V

논리 레벨-높음

1.6V ~ 2V

V, 최대 CL에서 최대 전파 지연

7ns @ 3.3V, 30pF

작동 온도

-40°C ~ 125°C

장착 유형

Surface Mount

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