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NM93C56LN

NM93C56LN

참조 용

부품 번호 NM93C56LN
PNEDA 부품 번호 NM93C56LN
설명 IC EEPROM 2K SPI 250KHZ 8DIP
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 4,842
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 27 - 5월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NM93C56LN 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NM93C56LN
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
NM93C56LN, NM93C56LN 데이터 시트 (총 페이지: 13, 크기: 107.67 KB)
PDFNM93C56M8 데이터 시트 표지
NM93C56M8 데이터 시트 페이지 2 NM93C56M8 데이터 시트 페이지 3 NM93C56M8 데이터 시트 페이지 4 NM93C56M8 데이터 시트 페이지 5 NM93C56M8 데이터 시트 페이지 6 NM93C56M8 데이터 시트 페이지 7 NM93C56M8 데이터 시트 페이지 8 NM93C56M8 데이터 시트 페이지 9 NM93C56M8 데이터 시트 페이지 10 NM93C56M8 데이터 시트 페이지 11

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NM93C56LN 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷EEPROM
기술EEPROM
메모리 크기2Kb (128 x 16)
메모리 인터페이스SPI
시계 주파수250kHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지15ms
접근 시간-
전압-공급2.7V ~ 5.5V
작동 온도0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스8-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지8-DIP

관심을 가질만한 제품

71T75902S85BGG8

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

메모리 크기

18Mb (1M x 18)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

8.5ns

전압-공급

2.375V ~ 2.625V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

119-BGA

공급자 장치 패키지

119-PBGA (14x22)

BQ4010YMA-150

Texas Instruments

제조업체

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

NVSRAM

기술

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

메모리 크기

64Kb (8K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

150ns

접근 시간

150ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

28-DIP Module (0.61", 15.49mm)

공급자 장치 패키지

28-DIP Module (18.42x37.72)

IS46DR16640C-3DBLA2-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR2

메모리 크기

1Gb (64M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

333MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

450ps

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

-40°C ~ 105°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

84-TFBGA

공급자 장치 패키지

84-TWBGA (8x12.5)

MT29F512G08CUCABH3-12ITZ:A TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND

메모리 크기

512Gb (64G x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

83MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

100-LBGA

공급자 장치 패키지

100-LBGA (12x18)

CY7C0831V-167AXC

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Synchronous

메모리 크기

2Mb (128K x 18)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

167MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

3.135V ~ 3.465V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

120-LQFP

공급자 장치 패키지

120-TQFP (14x14)

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