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NP180N04TUK-E1-AY

NP180N04TUK-E1-AY

참조 용

부품 번호 NP180N04TUK-E1-AY
PNEDA 부품 번호 NP180N04TUK-E1-AY
설명 MOSFET N-CH 40V 180A TO-263
제조업체 Renesas Electronics America
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NP180N04TUK-E1-AY 리소스

브랜드 Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NP180N04TUK-E1-AY
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
NP180N04TUK-E1-AY, NP180N04TUK-E1-AY 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 304.83 KB)
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  • NP180N04TUK-E1-AY Distributor

NP180N04TUK-E1-AY 사양

제조업체Renesas Electronics America
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)180A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs1.05mOhm @ 90A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs297nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds15750pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)1.8W (Ta), 348W (Tc)
작동 온도175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지TO-263-7
패키지 / 케이스TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

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60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.1A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

330mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

350pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

850mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

E-Line (TO-92 compatible)

패키지 / 케이스

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IXYS

제조업체

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시리즈

CoolMOS™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

800V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

25A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

150mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 2mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

166nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

250W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

ISO264™

패키지 / 케이스

ISO264™

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IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

800V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

11A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

500mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 4mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

85nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4680pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

166W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

13A (Ta), 30A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

7.5mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

41.3nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2090pF @ 30V

FET 기능

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2.2W (Ta), 41W (Tc)

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Rds On (최대) @ Id, Vgs

900mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 100µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

12nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

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