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NP34N055SLE-E1-AY

NP34N055SLE-E1-AY

참조 용

부품 번호 NP34N055SLE-E1-AY
PNEDA 부품 번호 NP34N055SLE-E1-AY
설명 MOSFET N-CH 55V 34A TO-252
제조업체 Renesas Electronics America
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NP34N055SLE-E1-AY 리소스

브랜드 Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NP34N055SLE-E1-AY
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
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NP34N055SLE-E1-AY 사양

제조업체Renesas Electronics America
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)34A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs18mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs72nC @ 5V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds3000pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)1.2W (Ta), 88W (Tc)
작동 온도175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지TO-252 (MP-3ZK)
패키지 / 케이스TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

230mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

59.5nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3120pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

27A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

320mOhm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 4mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

170nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

7600pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

500W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

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Vishay Siliconix

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기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

16A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

320mOhm @ 9.9A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

130nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2760pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

220W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

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FET 유형

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기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.5A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.5Ohm @ 2.7A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

38nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

610pF @ 25V

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전력 손실 (최대)

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Vgs (th) (최대) @ Id

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게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

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Vgs (최대)

±12V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

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전력 손실 (최대)

13.6W (Tc)

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