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NP88N075MUE-S18-AY

NP88N075MUE-S18-AY

참조 용

부품 번호 NP88N075MUE-S18-AY
PNEDA 부품 번호 NP88N075MUE-S18-AY
설명 MOSFET N-CH 75V 88A TO-220
제조업체 Renesas Electronics America
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 27 - 12월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NP88N075MUE-S18-AY 리소스

브랜드 Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NP88N075MUE-S18-AY
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
NP88N075MUE-S18-AY, NP88N075MUE-S18-AY 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 296.18 KB)
PDFNP88N075KUE-E2-AY 데이터 시트 표지
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NP88N075MUE-S18-AY 사양

제조업체Renesas Electronics America
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)75V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)88A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs8.5mOhm @ 44A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs230nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds12300pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)1.8W (Ta), 288W (Tc)
작동 온도175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지TO-220-3
패키지 / 케이스TO-220-3

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드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

39A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

35mOhm @ 39A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

67nC @ 10V

Vgs (최대)

±16V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1820pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

145W (Tc)

작동 온도

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장착 유형

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드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

20A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

6.3mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.3V @ 200µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

24nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1370pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

700mW (Ta), 19W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-TSON Advance (3.3x3.3)

패키지 / 케이스

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IRFB7540PBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

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FET 유형

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

110A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

6V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5.1mOhm @ 65A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.7V @ 100µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

130nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4555pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

160W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220

패키지 / 케이스

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20V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

55mOhm @ 40A, 20V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

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Vgs (최대)

+25V, -10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

625W (Tc)

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드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

120A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5.9mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

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Vgs (최대)

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-

전력 손실 (최대)

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