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NP8P128AE3B1760E

NP8P128AE3B1760E

참조 용

부품 번호 NP8P128AE3B1760E
PNEDA 부품 번호 NP8P128AE3B1760E
설명 IC PCM 128M PARALLEL 64EASYBGA
제조업체 Micron Technology Inc.
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재고 있음 8,424
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 30 - 12월 5 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NP8P128AE3B1760E 리소스

브랜드 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NP8P128AE3B1760E
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
NP8P128AE3B1760E, NP8P128AE3B1760E 데이터 시트 (총 페이지: 86, 크기: 2,598.83 KB)
PDFNP8P128AE3T1760E 데이터 시트 표지
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NP8P128AE3B1760E 사양

제조업체Micron Technology Inc.
시리즈Omneo™
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷PCM (PRAM)
기술PCM (PRAM)
메모리 크기128Mb (16M x 8)
메모리 인터페이스Parallel, SPI
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지135ns
접근 시간135ns
전압-공급2.7V ~ 3.6V
작동 온도-30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스64-TBGA
공급자 장치 패키지64-EasyBGA (8x10)

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제조업체

Macronix

시리즈

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

16Mb (2M x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

80MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

100µs, 4ms

접근 시간

-

전압-공급

1.65V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOP

M25P10-AVMN3P/Y

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

1Mb (128K x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

50MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ms, 5ms

접근 시간

-

전압-공급

2.3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

CY7C144E-55AXC

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Asynchronous

메모리 크기

64Kb (8K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

55ns

접근 시간

55ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

64-LQFP

공급자 장치 패키지

64-TQFP (14x14)

MT53B512M64D4NW-062 WT:C TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - Mobile LPDDR4

메모리 크기

32Gb (512M x 64)

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

1600MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.1V

작동 온도

-30°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

BR93G86F-3BGTE2

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

16Kb (1K x 16)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

3MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOP

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