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NP8P128AE3TSM60E

NP8P128AE3TSM60E

참조 용

부품 번호 NP8P128AE3TSM60E
PNEDA 부품 번호 NP8P128AE3TSM60E
설명 IC PCM 128M PARALLEL 56TSOP
제조업체 Micron Technology Inc.
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재고 있음 4,302
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 27 - 12월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NP8P128AE3TSM60E 리소스

브랜드 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NP8P128AE3TSM60E
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
NP8P128AE3TSM60E, NP8P128AE3TSM60E 데이터 시트 (총 페이지: 86, 크기: 2,598.83 KB)
PDFNP8P128AE3T1760E 데이터 시트 표지
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NP8P128AE3TSM60E 사양

제조업체Micron Technology Inc.
시리즈Omneo™
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷PCM (PRAM)
기술PCM (PRAM)
메모리 크기128Mb (16M x 8)
메모리 인터페이스Parallel, SPI
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지135ns
접근 시간135ns
전압-공급2.7V ~ 3.6V
작동 온도-30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지56-TSOP (18.4x14)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM

메모리 크기

64Mb (2M x 32)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

166MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

5.4ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

90-TFBGA (8x13)

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제조업체

Alliance Memory, Inc.

시리즈

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메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

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메모리 크기

2Gb (128M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

400MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

-

전압-공급

1.14V ~ 1.95V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

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시리즈

-

메모리 유형

-

메모리 포맷

-

기술

-

메모리 크기

-

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

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S29GL512S11FHIV13

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제조업체

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시리즈

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

512Mb (32M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

60ns

접근 시간

110ns

전압-공급

1.65V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

64-LBGA

공급자 장치 패키지

64-Fortified BGA (13x11)

AT25512Y7-YH-T

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제조업체

Microchip Technology

시리즈

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

512Kb (64K x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

20MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

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