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NRVHP8H200MFDT3G

NRVHP8H200MFDT3G

참조 용

부품 번호 NRVHP8H200MFDT3G
PNEDA 부품 번호 NRVHP8H200MFDT3G
설명 DIODE ARRAY GP 200V 4A 8DFN
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 5,148
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예상 배송 12월 31 - 1월 5 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NRVHP8H200MFDT3G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NRVHP8H200MFDT3G
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-배열
데이터 시트
NRVHP8H200MFDT3G, NRVHP8H200MFDT3G 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 108.44 KB)
PDFNRVHP8H200MFDWFT3G 데이터 시트 표지
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NRVHP8H200MFDT3G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈Automotive, AEC-Q101, SWITCHMODE™
다이오드 구성2 Independent
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)200V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)4A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If910mV @ 8A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)30ns
전류-역방향 누설 @ Vr500nA @ 200V
작동 온도-접합-55°C ~ 175°C
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

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60V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

20A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

620mV @ 20A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

6mA @ 60V

작동 온도-접합

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장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

20V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

300A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

750mV @ 150A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1mA @ 20V

작동 온도-접합

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Three Tower

공급자 장치 패키지

Three Tower

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

Automotive, AEC-Q101

다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

200mA (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.25V @ 150mA

속도

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

역 복구 시간 (trr)

6ns

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 100V

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-70, SOT-323

공급자 장치 패키지

SC-70-3 (SOT323)

U30DCT-E3/4W

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

15A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.05V @ 15A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

45ns

전류-역방향 누설 @ Vr

20µA @ 200V

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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TO-220AB

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GeneSiC Semiconductor

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다이오드 구성

1 Pair Common Anode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

150V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

200A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

880mV @ 200A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1mA @ 150V

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

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