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NRVUA120VT3G

NRVUA120VT3G

참조 용

부품 번호 NRVUA120VT3G
PNEDA 부품 번호 NRVUA120VT3G
설명 DIODE GEN PURP 200V 2A SMA
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NRVUA120VT3G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NRVUA120VT3G
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
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NRVUA120VT3G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈Automotive, AEC-Q101
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)200V
전류-평균 정류 (Io)2A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If875mV @ 1A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)35ns
전류-역방향 누설 @ Vr2µA @ 200V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스DO-214AC, SMA
공급자 장치 패키지SMA
작동 온도-접합-65°C ~ 175°C

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Micro Commercial Co

시리즈

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다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

50V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 40V

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

50ns

전류-역방향 누설 @ Vr

-

커패시턴스 @ Vr, F

20pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-41

작동 온도-접합

-55°C ~ 125°C

SBR8E20P5-7

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

다이오드 유형

Super Barrier

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

20V

전류-평균 정류 (Io)

8A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

450mV @ 8A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

500µA @ 20V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

PowerDI™ 5

공급자 장치 패키지

PowerDI™ 5

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

AR3PJHM3_A/I

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

Automotive, AEC-Q101, eSMP®

다이오드 유형

Avalanche

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

1.8A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.6V @ 3A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

140ns

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

44pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-277, 3-PowerDFN

공급자 장치 패키지

TO-277A (SMPC)

작동 온도-접합

-55°C ~ 175°C

RB520CS-30T2R

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

30V

전류-평균 정류 (Io)

100mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

450mV @ 10mA

속도

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 10V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOD-923

공급자 장치 패키지

VMN2

작동 온도-접합

150°C (Max)

1SS394TE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

10V

전류-평균 정류 (Io)

100mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

500mV @ 100mA

속도

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

20µA @ 10V

커패시턴스 @ Vr, F

40pF @ 0V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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