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NS8GTHE3/45

NS8GTHE3/45

참조 용

부품 번호 NS8GTHE3/45
PNEDA 부품 번호 NS8GTHE3-45
설명 DIODE GEN PURP 400V 8A TO220AC
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
재고 있음 6,786
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 17 - 11월 22 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NS8GTHE3/45 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NS8GTHE3/45
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
NS8GTHE3/45, NS8GTHE3/45 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 140.64 KB)
PDFNS8KT-7002HE3/45 데이터 시트 표지
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NS8GTHE3/45 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈-
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)400V
전류-평균 정류 (Io)8A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.1V @ 8A
속도Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr10µA @ 400V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-220-2
공급자 장치 패키지TO-220AC
작동 온도-접합-55°C ~ 150°C

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제조업체

Powerex Inc.

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1500V

전류-평균 정류 (Io)

600A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

3.5µs

전류-역방향 누설 @ Vr

-

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Stud Mount

패키지 / 케이스

DO-200AB, B-PUK

공급자 장치 패키지

-

작동 온도-접합

-40°C ~ 125°C

RS1KL RTG

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

800V

전류-평균 정류 (Io)

800mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 800mA

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

500ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 800V

커패시턴스 @ Vr, F

10pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-219AB

공급자 장치 패키지

Sub SMA

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

FS1G-TP

Micro Commercial Co

제조업체

Micro Commercial Co

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

400V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

150ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 400V

커패시턴스 @ Vr, F

50pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AC, SMA

공급자 장치 패키지

DO-214AC (HSMA)

작동 온도-접합

-50°C ~ 150°C

NRVB2045EMFST3G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

45V

전류-평균 정류 (Io)

20A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

640mV @ 20A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

400µA @ 45V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN, 5 Leads

공급자 장치 패키지

5-DFN (5x6) (8-SOFL)

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

GP10YE-E3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

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다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1600V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 1A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

3µs

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 1600V

커패시턴스 @ Vr, F

5pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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