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NSB8BT-E3/81

NSB8BT-E3/81

참조 용

부품 번호 NSB8BT-E3/81
PNEDA 부품 번호 NSB8BT-E3-81
설명 DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
재고 있음 7,542
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 25 - 12월 30 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NSB8BT-E3/81 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NSB8BT-E3/81
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
NSB8BT-E3/81, NSB8BT-E3/81 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 140.64 KB)
PDFNS8KT-7002HE3/45 데이터 시트 표지
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  • NSB8BT-E3/81 Distributor

NSB8BT-E3/81 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈-
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)100V
전류-평균 정류 (Io)8A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.1V @ 8A
속도Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr10µA @ 100V
커패시턴스 @ Vr, F55pF @ 4V, 1MHz
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지TO-263AB
작동 온도-접합-55°C ~ 150°C

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Automotive, AEC-Q101

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Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

40V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

570mV @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

50µA @ 40V

커패시턴스 @ Vr, F

69pF @ 1V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

SOD-123

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제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

Automotive, AEC-Q101

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

40V

전류-평균 정류 (Io)

5A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

550mV @ 5A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

500µA @ 40V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AB, SMC

공급자 장치 패키지

DO-214AB (SMC)

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

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제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

10000V

전류-평균 정류 (Io)

100mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

10V @ 100mA

속도

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 10000V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

S, Axial

공급자 장치 패키지

S, Axial

작동 온도-접합

-65°C ~ 175°C

VS-15ETU12HN3

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

Automotive, AEC-Q101, FRED Pt®

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1200V

전류-평균 정류 (Io)

15A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

2.78V @ 15A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

167ns

전류-역방향 누설 @ Vr

80µA @ 1200V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-2

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TO-220AC

작동 온도-접합

-55°C ~ 175°C

VS-20L15TPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

15V

전류-평균 정류 (Io)

20A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

410mV @ 19A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

10mA @ 15V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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