NSBC114TDXV6T1G
참조 용
| 부품 번호 | NSBC114TDXV6T1G |
| PNEDA 부품 번호 | NSBC114TDXV6T1G |
| 설명 | TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563 |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 5,040 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 3월 18 - 3월 23 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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NSBC114TDXV6T1G 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | NSBC114TDXV6T1G |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 |
| 데이터 시트 |
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NSBC114TDXV6T1G 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| 전류-수집기 (Ic) (최대) | 100mA |
| 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) | 50V |
| 저항-베이스 (R1) | 10kOhms |
| 저항-이미 터베이스 (R2) | - |
| DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce | 160 @ 5mA, 10V |
| Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
| 전류-수집기 차단 (최대) | 500nA |
| 주파수-전환 | - |
| 전력-최대 | 500mW |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | SOT-563, SOT-666 |
| 공급자 장치 패키지 | SOT-563 |
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대) 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 50V 저항-베이스 (R1) 47kOhms 저항-이미 터베이스 (R2) 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대) 500nA 주파수-전환 - 전력-최대 250mW 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지 SC-88/SC70-6/SOT-363 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대) 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 50V 저항-베이스 (R1) 10kOhms 저항-이미 터베이스 (R2) 10kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 35 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대) 500nA 주파수-전환 - 전력-최대 250mW 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지 SC-88/SC70-6/SOT-363 |
제조업체 Nexperia USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대) 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 50V 저항-베이스 (R1) 4.7kOhms 저항-이미 터베이스 (R2) 4.7kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 30 @ 10mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대) 1µA 주파수-전환 - 전력-최대 300mW 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지 SOT-666 |
제조업체 Nexperia USA Inc. 시리즈 Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대) 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 50V 저항-베이스 (R1) 10kOhms 저항-이미 터베이스 (R2) 10kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대) 1µA 주파수-전환 230MHz 전력-최대 480mW 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-XFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지 DFN1412-6 |
