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NSF8DTHE3_A/P

NSF8DTHE3_A/P

참조 용

부품 번호 NSF8DTHE3_A/P
PNEDA 부품 번호 NSF8DTHE3_A-P
설명 DIODE GEN PURP 200V 8A ITO220AC
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
재고 있음 4,842
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 29 - 1월 3 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NSF8DTHE3_A/P 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NSF8DTHE3_A/P
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
NSF8DTHE3_A/P, NSF8DTHE3_A/P 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 140.64 KB)
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  • NSF8DTHE3_A/P Distributor

NSF8DTHE3_A/P 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈-
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)200V
전류-평균 정류 (Io)8A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.1V @ 8A
속도Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr10µA @ 200V
커패시턴스 @ Vr, F55pF @ 4V, 1MHz
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-220-2 Insulated, TO-220AC
공급자 장치 패키지ITO-220AC
작동 온도-접합-55°C ~ 150°C

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Taiwan Semiconductor Corporation

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

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전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

800mV @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 90V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

T-18, Axial

공급자 장치 패키지

TS-1

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

eSMP®

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

50V

전류-평균 정류 (Io)

2A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

700mV @ 2A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 50V

커패시턴스 @ Vr, F

80pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-220AA

공급자 장치 패키지

DO-220AA (SMP)

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

eSMP®

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

150V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

25ns

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 150V

커패시턴스 @ Vr, F

25pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-220AA

공급자 장치 패키지

DO-220AA (SMP)

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GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io)

80A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

840mV @ 80A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1mA @ 100V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

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Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

30V

전류-평균 정류 (Io)

1.1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

550mV @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1mA @ 30V

커패시턴스 @ Vr, F

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