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NSR05T40P2T5G

NSR05T40P2T5G

참조 용

부품 번호 NSR05T40P2T5G
PNEDA 부품 번호 NSR05T40P2T5G
설명 DIODE SCHOTTKY 40V 500MA SOD923
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NSR05T40P2T5G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NSR05T40P2T5G
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
NSR05T40P2T5G, NSR05T40P2T5G 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 61.43 KB)
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NSR05T40P2T5G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
다이오드 유형Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)40V
전류-평균 정류 (Io)500mA (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If700mV @ 500mA
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)8ns
전류-역방향 누설 @ Vr55µA @ 40V
커패시턴스 @ Vr, F29pF @ 4V, 1MHz
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SOD-923
공급자 장치 패키지SOD-923
작동 온도-접합-55°C ~ 150°C

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전류-평균 정류 (Io)

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전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 5A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

35ns

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 50V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

SOD-64

작동 온도-접합

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VF20100S-E3/4W

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제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

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다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io)

20A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 20A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

500µA @ 100V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

ITO-220AB

작동 온도-접합

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제조업체

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시리즈

*

다이오드 유형

-

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

-

전류-평균 정류 (Io)

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

속도

-

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

작동 온도-접합

-

SS25LHRFG

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

Automotive, AEC-Q101

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

50V

전류-평균 정류 (Io)

2A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

700mV @ 2A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

400µA @ 50V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-219AB

공급자 장치 패키지

Sub SMA

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

1N4007GPP BK

Central Semiconductor Corp

제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

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다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1000V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 1A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

2µs

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 1000V

커패시턴스 @ Vr, F

8pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

DO-41

작동 온도-접합

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