NSS35200MR6T1G
참조 용
| 부품 번호 | NSS35200MR6T1G |
| PNEDA 부품 번호 | NSS35200MR6T1G |
| 설명 | TRANS PNP 35V 2A TSOP-6 |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 26,124 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 3월 27 - 4월 1 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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NSS35200MR6T1G 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | NSS35200MR6T1G |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-양극 (BJT)-단일 |
| 데이터 시트 |
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NSS35200MR6T1G 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | PNP |
| 전류-수집기 (Ic) (최대) | 2A |
| 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) | 35V |
| Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic | 310mV @ 20mA, 2A |
| 전류-수집기 차단 (최대) | 100nA |
| DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce | 100 @ 1.5A, 1.5V |
| 전력-최대 | 625mW |
| 주파수-전환 | 100MHz |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | SOT-23-6 |
| 공급자 장치 패키지 | 6-TSOP |
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 PNP 전류-수집기 (Ic) (최대) 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 500mV @ 200mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대) 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 75 @ 1A, 2V 전력-최대 800mW 주파수-전환 75MHz 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-261-4, TO-261AA 공급자 장치 패키지 SOT-223 (TO-261) |
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 PNP 전류-수집기 (Ic) (최대) 8A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 800mV @ 600mA, 6A 전류-수집기 차단 (최대) 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 30 @ 2A, 2V 전력-최대 50W 주파수-전환 12MHz 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-220-3 공급자 장치 패키지 TO-220-3 |
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