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NSTB1003DXV5T1G

NSTB1003DXV5T1G

참조 용

부품 번호 NSTB1003DXV5T1G
PNEDA 부품 번호 NSTB1003DXV5T1G
설명 TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT553
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 5,148
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 17 - 11월 22 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NSTB1003DXV5T1G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NSTB1003DXV5T1G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

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  • NSTB1003DXV5T1G Distributor

NSTB1003DXV5T1G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
트랜지스터 유형1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대)-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)-
저항-베이스 (R1)-
저항-이미 터베이스 (R2)-
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce-
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic-
전류-수집기 차단 (최대)-
주파수-전환-
전력-최대-
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SOT-553
공급자 장치 패키지SOT-553

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100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

22kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

160 @ 5mA, 10V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 500µA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

주파수-전환

-

전력-최대

150mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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Panasonic Electronic Components

제조업체

Panasonic Electronic Components

시리즈

-

트랜지스터 유형

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

47kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

160 @ 5mA, 10V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

주파수-전환

150MHz

전력-최대

300mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-74A, SOT-753

공급자 장치 패키지

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Nexperia USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

4.7kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

10kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

50 @ 10mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

100mV @ 500µA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

1µA

주파수-전환

-

전력-최대

300mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-563, SOT-666

공급자 장치 패키지

SOT-666

RN2902FE(T5L,F,T)

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제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

트랜지스터 유형

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

10kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

10kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

50 @ 10mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

주파수-전환

200MHz

전력-최대

100mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-563, SOT-666

공급자 장치 패키지

ES6

NSVBC114EPDXV6T1G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

10kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

10kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

35 @ 5mA, 10V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

주파수-전환

-

전력-최대

500mW

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