NSV20101JT1G
참조 용
| 부품 번호 | NSV20101JT1G |
| PNEDA 부품 번호 | NSV20101JT1G |
| 설명 | TRANS NPN 20V 1A 89SC3 |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 3,114 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 11월 27 - 12월 2 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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NSV20101JT1G 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | NSV20101JT1G |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-양극 (BJT)-단일 |
| 데이터 시트 |
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NSV20101JT1G 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | NPN |
| 전류-수집기 (Ic) (최대) | 1A |
| 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) | 20V |
| Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic | 220mV @ 100mA, 1A |
| 전류-수집기 차단 (최대) | 100nA (ICBO) |
| DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce | 200 @ 100mA, 2V |
| 전력-최대 | 255mW |
| 주파수-전환 | 350MHz |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | SC-89, SOT-490 |
| 공급자 장치 패키지 | SC-89-3 |
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제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - 트랜지스터 유형 PNP 전류-수집기 (Ic) (최대) 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 25V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 500mV @ 100mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대) 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 300 @ 10mA, 2V 전력-최대 1W 주파수-전환 100MHz 작동 온도 -55°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 E-Line-3 공급자 장치 패키지 E-Line (TO-92 compatible) |
