NSV60601MZ4T3G
참조 용
| 부품 번호 | NSV60601MZ4T3G |
| PNEDA 부품 번호 | NSV60601MZ4T3G |
| 설명 | TRANS NPN 60V 6A SOT-223-4 |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 5,274 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 20 - 2월 25 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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NSV60601MZ4T3G 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | NSV60601MZ4T3G |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-양극 (BJT)-단일 |
| 데이터 시트 |
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NSV60601MZ4T3G 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | NPN |
| 전류-수집기 (Ic) (최대) | 6A |
| 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) | 60V |
| Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic | 300mV @ 600mA, 6A |
| 전류-수집기 차단 (최대) | 100nA (ICBO) |
| DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce | 120 @ 1A, 2V |
| 전력-최대 | 800mW |
| 주파수-전환 | 100MHz |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | TO-261-4, TO-261AA |
| 공급자 장치 패키지 | SOT-223 |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN 전류-수집기 (Ic) (최대) 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 1V @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대) 2µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 100 @ 150mA, 2V 전력-최대 25W 주파수-전환 - 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-225AA, TO-126-3 공급자 장치 패키지 TO-126-3 |
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