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NSVBC857BLT3G

NSVBC857BLT3G

참조 용

부품 번호 NSVBC857BLT3G
PNEDA 부품 번호 NSVBC857BLT3G
설명 TRANS PNP 45V 0.1A SOT-23
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 4,302
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 19 - 6월 24 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NSVBC857BLT3G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NSVBC857BLT3G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
NSVBC857BLT3G, NSVBC857BLT3G 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 207.77 KB)
PDFBC859CLT1G 데이터 시트 표지
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NSVBC857BLT3G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
트랜지스터 유형PNP
전류-수집기 (Ic) (최대)100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic650mV @ 5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대)15nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce220 @ 2mA, 5V
전력-최대225mW
주파수-전환100MHz
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지SOT-23-3 (TO-236)

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NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

12A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

700V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.8V @ 1.5A, 6A

전류-수집기 차단 (최대)

200µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

4.5 @ 6A, 5V

전력-최대

58W

주파수-전환

-

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

300V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

100µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

30 @ 50mA, 10V

전력-최대

1.56W

주파수-전환

-

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

D-Pak

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제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

5A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

17.5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

350mV @ 25mA, 5A

전류-수집기 차단 (최대)

10nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

300 @ 1A, 2V

전력-최대

2.5W

주파수-전환

150MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-261-4, TO-261AA

공급자 장치 패키지

SOT-223

ST1510FX

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

12A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

750V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

2V @ 1.5A, 6A

전류-수집기 차단 (최대)

200µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

6.5 @ 6A, 5V

전력-최대

62W

주파수-전환

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작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

ISOWATT218FX

공급자 장치 패키지

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제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

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트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

50mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

200V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 1mA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

120 @ 10mA, 3V

전력-최대

150mW

주파수-전환

100MHz

작동 온도

125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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