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NSVMMBD354LT1G

NSVMMBD354LT1G

참조 용

부품 번호 NSVMMBD354LT1G
PNEDA 부품 번호 NSVMMBD354LT1G
설명 DIODE SCHOTTKY 7V 300MW SOT23-3
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 3,816
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 1 - 12월 6 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NSVMMBD354LT1G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NSVMMBD354LT1G
분류반도체다이오드 및 정류기다이오드-RF
데이터 시트
NSVMMBD354LT1G, NSVMMBD354LT1G 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 121.99 KB)
PDFNSVMMBD353LT1G 데이터 시트 표지
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  • NSVMMBD354LT1G Distributor

NSVMMBD354LT1G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
다이오드 유형Schottky - 1 Pair Common Cathode
전압-피크 역방향 (최대)7V
현재-최대-
커패시턴스 @ Vr, F1pF @ 0V, 1MHz
저항 @ If, F-
전력 손실 (최대)300mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지SOT-23-3 (TO-236)

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저항 @ If, F

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전력 손실 (최대)

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작동 온도

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패키지 / 케이스

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Broadcom Limited

시리즈

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다이오드 유형

PIN - 1 Pair Common Cathode

전압-피크 역방향 (최대)

100V

현재-최대

1A

커패시턴스 @ Vr, F

0.35pF @ 50V, 1MHz

저항 @ If, F

3Ohm @ 100mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

SC-70, SOT-323

공급자 장치 패키지

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시리즈

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전압-피크 역방향 (최대)

30V

현재-최대

50mA

커패시턴스 @ Vr, F

0.4pF @ 1V, 1MHz

저항 @ If, F

1.5Ohm @ 10mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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Broadcom

제조업체

Broadcom Limited

시리즈

-

다이오드 유형

PIN - 1 Pair Common Cathode

전압-피크 역방향 (최대)

200V

현재-최대

1A

커패시턴스 @ Vr, F

0.3pF @ 50V, 1MHz

저항 @ If, F

1.5Ohm @ 100mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

250mW

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

HPND-0002

Broadcom

제조업체

Broadcom Limited

시리즈

-

다이오드 유형

-

전압-피크 역방향 (최대)

-

현재-최대

-

커패시턴스 @ Vr, F

-

저항 @ If, F

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

-

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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