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NSVT3904DP6T5G

NSVT3904DP6T5G

참조 용

부품 번호 NSVT3904DP6T5G
PNEDA 부품 번호 NSVT3904DP6T5G
설명 TRANS 2NPN 40V 0.2A SOT963
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 8,532
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 26 - 12월 1 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NSVT3904DP6T5G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NSVT3904DP6T5G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-어레이
데이터 시트
NSVT3904DP6T5G, NSVT3904DP6T5G 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 124.52 KB)
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NSVT3904DP6T5G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
트랜지스터 유형2 NPN (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대)200mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic300mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대)-
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce100 @ 10mA, 1V
전력-최대350mW
주파수-전환200MHz
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SOT-963
공급자 장치 패키지SOT-963

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ON Semiconductor

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NPN, PNP (Emitter Coupled)

전류-수집기 (Ic) (최대)

700mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

30V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

190mV @ 10mA, 200mA / 220mV @ 10mA, 200mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

300 @ 50mA, 2V

전력-최대

500mW

주파수-전환

540MHZ, 520MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-SMD (5 Leads), Flat Lead

공급자 장치 패키지

5-MCPH

STD845DN40

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

트랜지스터 유형

2 NPN (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

4A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

400V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 1A, 4A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

12 @ 2A, 5V

전력-최대

3W

주파수-전환

-

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

8-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

8-DIP

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제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

트랜지스터 유형

2 NPN (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

600mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

40V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1V @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

10nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

전력-최대

200mW

주파수-전환

300MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

SOT-363

PBSS4021SN,115

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

2 NPN (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

7.5A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

20V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

275mV @ 375mA, 7.5A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

250 @ 4A, 2V

전력-최대

2.3W

주파수-전환

115MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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8-SO

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ON Semiconductor

제조업체

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-

트랜지스터 유형

2 NPN (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

150mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

8V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

1µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

60 @ 50mA, 5V

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