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NTB90N02T4G

NTB90N02T4G

참조 용

부품 번호 NTB90N02T4G
PNEDA 부품 번호 NTB90N02T4G
설명 MOSFET N-CH 24V 90A D2PAK
제조업체 ON Semiconductor
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NTB90N02T4G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NTB90N02T4G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
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NTB90N02T4G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)24V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)90A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs5.8mOhm @ 90A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs29nC @ 4.5V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds2120pF @ 20V
FET 기능-
전력 손실 (최대)85W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지D2PAK
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

12A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

100mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

10nC @ 5V

Vgs (최대)

±16V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

350pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

42.8W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

DPAK

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

FCD1300N80Z

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

SuperFET® II

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

800V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.3Ohm @ 2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 400µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

21nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

880pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

52W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

DPAK

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

NTD5805NT4G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

51A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

9.5mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

80nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1725pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

47W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

DPAK

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

CSD18542KCS

Texas Instruments

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

200A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

44mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

57nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5070pF @ 30V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

200W (Tc)

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31mOhm @ 30A, 10V

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Vgs (최대)

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FET 기능

-

전력 손실 (최대)

57W (Tc)

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