NTD4809NA-1G
참조 용
| 부품 번호 | NTD4809NA-1G |
| PNEDA 부품 번호 | NTD4809NA-1G |
| 설명 | MOSFET N-CH 30V 9A IPAK |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 5,148 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 4 - 2월 9 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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NTD4809NA-1G 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | NTD4809NA-1G |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
| 데이터 시트 |
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NTD4809NA-1G 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 30V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 9.6A (Ta), 58A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 11.5V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 9mOhm @ 30A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 13nC @ 4.5V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1456pF @ 12V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 1.3W (Ta), 52W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 공급자 장치 패키지 | I-PAK |
| 패키지 / 케이스 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 1A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 13Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 3.8nC @ 10V Vgs (최대) ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 65pF @ 20V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 1W (Ta), 38W (Tc) 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 DPAK/TP-FA 패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 HEXFET® FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 5.6A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 35mOhm @ 3.7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 27nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 520pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 1.8W (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 Micro8™ 패키지 / 케이스 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 HEXFET®, StrongIRFET™ FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 85A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 3.3mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3.9V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 98nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 3174pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 78W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 8-PQFN (5x6) 패키지 / 케이스 8-PowerTDFN |
제조업체 STMicroelectronics 시리즈 STripFET™ FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 80A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 8mOhm @ 40A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 150nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 3850pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 300W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-247-3 패키지 / 케이스 TO-247-3 |
