NTHD4N02FT1
참조 용
| 부품 번호 | NTHD4N02FT1 |
| PNEDA 부품 번호 | NTHD4N02FT1 |
| 설명 | MOSFET N-CH 20V 2.9A CHIPFET |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 5,112 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 14 - 4월 19 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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NTHD4N02FT1 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | NTHD4N02FT1 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
| 데이터 시트 |
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NTHD4N02FT1 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 20V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 2.9A (Tj) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 80mOhm @ 2.9A, 4.5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 1.2V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 4nC @ 4.5V |
| Vgs (최대) | ±12V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 300pF @ 10V |
| FET 기능 | Schottky Diode (Isolated) |
| 전력 손실 (최대) | 910mW (Tj) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | ChipFET™ |
| 패키지 / 케이스 | 8-SMD, Flat Lead |
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 450V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 500mA (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 4.25Ohm @ 250mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3.7V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 8.5nC @ 10V Vgs (최대) ±50V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 240pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 900mW (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-92-3 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
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제조업체 Infineon Technologies 시리즈 HEXFET® FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 120A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 3mOhm @ 75A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 150µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 170nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 6540pF @ 50V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 300W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-262 패키지 / 케이스 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
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