NTHD5904T1
참조 용
| 부품 번호 | NTHD5904T1 |
| PNEDA 부품 번호 | NTHD5904T1 |
| 설명 | MOSFET 2N-CH 20V 3.1A CHIPFET |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 6,516 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 6월 13 - 6월 18 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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NTHD5904T1 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | NTHD5904T1 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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NTHD5904T1 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Logic Level Gate |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 20V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 3.1A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 75mOhm @ 3.1A, 4.5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 600mV @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 6nC @ 4.5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | - |
| 전력-최대 | 1.1W |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 8-SMD, Flat Lead |
| 공급자 장치 패키지 | ChipFET™ |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 POWER MOS 7® FET 유형 4 N-Channel (H-Bridge) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 1200V (1.2kV) 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 34A Rds On (최대) @ Id, Vgs 348mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 5V @ 5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 374nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 10300pF @ 25V 전력-최대 780W 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 SP6 공급자 장치 패키지 SP6 |
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