NTHS4101PT1G
참조 용
| 부품 번호 | NTHS4101PT1G |
| PNEDA 부품 번호 | NTHS4101PT1G |
| 설명 | MOSFET P-CH 20V 4.8A CHIPFET |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 149,058 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 3월 23 - 3월 28 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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NTHS4101PT1G 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | NTHS4101PT1G |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
| 데이터 시트 |
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NTHS4101PT1G 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | P-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 20V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 4.8A (Tj) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 34mOhm @ 4.8A, 4.5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 35nC @ 4.5V |
| Vgs (최대) | ±8V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 2100pF @ 16V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 1.3W (Ta) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | ChipFET™ |
| 패키지 / 케이스 | 8-SMD, Flat Lead |
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제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 POWER MOS 8™ FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 42A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 130mOhm @ 21A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 170nC @ 10V Vgs (최대) ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 6810pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 625W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-247 [B] 패키지 / 케이스 TO-247-3 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 60A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs 16mOhm @ 30A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 65nC @ 5V Vgs (최대) ±15V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 3075pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 2.4W (Ta), 150W (Tj) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 D2PAK 패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
