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NTLJD2104PTBG

NTLJD2104PTBG

참조 용

부품 번호 NTLJD2104PTBG
PNEDA 부품 번호 NTLJD2104PTBG
설명 MOSFET 2P-CH 12V 2.4A 6WDFN
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 2,196
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 12 - 6월 17 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NTLJD2104PTBG 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NTLJD2104PTBG
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
NTLJD2104PTBG, NTLJD2104PTBG 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 124.32 KB)
PDFNTLJD2104PTBG 데이터 시트 표지
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NTLJD2104PTBG 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형2 P-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)2.4A
Rds On (최대) @ Id, Vgs90mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id800mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs8nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds467pF @ 6V
전력-최대700mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-WDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지6-WDFN (2x2)

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제조업체

Infineon Technologies

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FET 유형

N and P-Channel Complementary

FET 기능

Logic Level Gate, 4.5V Drive

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.3A, 2A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

57mOhm @ 2.3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 11µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1.5nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

275pF @ 15V

전력-최대

500mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

공급자 장치 패키지

PG-TSOP-6-6

IRF7304TR

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

90mOhm @ 2.2A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

700mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

22nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

610pF @ 15V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

FDMA1028NZ

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

PowerTrench®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.7A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

68mOhm @ 3.7A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

6nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

340pF @ 10V

전력-최대

700mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-VDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

6-MicroFET (2x2)

DMP2100UFU-7

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.7A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

38mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

21.4nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

906pF @ 10V

전력-최대

900mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-UFDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

U-DFN2030-6 (Type B)

AOE6930

Alpha & Omega Semiconductor

제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

AlphaMOS

FET 유형

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

22A (Tc), 85A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.3mOhm @ 20A, 10V, 0.83mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.1V @ 250µA, 1.9V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

15nC @ 4.5V, 65nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1075pF @ 15V, 5560pF @ 15V

전력-최대

24W, 75W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-VDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-DFN (5x6)

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