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NTLLD4951NFTWG

NTLLD4951NFTWG

참조 용

부품 번호 NTLLD4951NFTWG
PNEDA 부품 번호 NTLLD4951NFTWG
설명 MOSFET 2N-CH 30V 5.5A/6.3A WDFN8
제조업체 ON Semiconductor
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NTLLD4951NFTWG 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NTLLD4951NFTWG
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
NTLLD4951NFTWG, NTLLD4951NFTWG 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 150 KB)
PDFNTLLD4951NFTWG 데이터 시트 표지
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  • NTLLD4951NFTWG Price
  • NTLLD4951NFTWG Distributor

NTLLD4951NFTWG 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)5.5A, 6.3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs17.4mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs12nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds605pF @ 15V
전력-최대800mW, 810mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-PowerWDFN
공급자 장치 패키지8-WDFN (3x3)

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시리즈

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FET 유형

4 N-Channel (H-Bridge)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

1200V (1.2kV)

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

34A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

348mOhm @ 17A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 5mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

374nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

10300pF @ 25V

전력-최대

780W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP6

공급자 장치 패키지

SP6

제조업체

IXYS

시리즈

-

FET 유형

6 N-Channel (3-Phase Bridge)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

90A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

8.5mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

90nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

17-SMD, Gull Wing

공급자 장치 패키지

ISOPLUS-DIL™

DMC1018UPD-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

Automotive, AEC-Q101

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

12V, 20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

9.5A, 6.9A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

17mOhm @ 11.8A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

30.4nC @ 8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1525pF @ 6V

전력-최대

2.3W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN

공급자 장치 패키지

PowerDI5060-8

SI4943BDY-T1-E3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6.3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

19mOhm @ 8.4A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

25nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1.1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

DMG4800LSD-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

16mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.6V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

8.56nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

798pF @ 10V

전력-최대

1.17W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOP

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